Fig.2In-situXRDanalysisoftheinteractionsduringcycling.（a）XRDintensityheatmapfrom4oto8.5oofa2.4mgcm–2cellsfirstcycledischargeat54mAg–1andchargeat187.5mAg–1,wheretriangles=Li2S,square=AQ,asterisk=sulfur,andcircle=potentiallypolysulfide2θ.(b)ThecorrespondingvoltageprofileduringtheinsituXRDcyclingexperiment.材料形貌表征在材料科学的研究领域中，边边常用的形貌表征主要包括了SEM，边边TEM，AFM等显微镜成像技术。
本工作在出现不同逾渗团簇的压力范围内，送餐实估算了关联长度ξ。为此，拍照本工作将这些簇从盒子中展开，考虑了周期性边界条件，并计算了它们的结构因子S(q)。
在这类体系中，看武汉非晶态可以用中短程电子性质和结构性质的变化来描述。图文解析一、边边多面体协调和连通性。总而言之，送餐实本工作发现由低密度到高密度的非晶态SiO2固体的结构转变是通过一系列的逾渗转变发生的。
因此，拍照超过10GPa后，多面体间的连通性从纯粹的角共享(CS)四面体转变为更复杂的连接网络。这些变化导致Si-O键离子度增加，看武汉促进更高折叠的配位多面体的形成(图1a,b)。
最后，边边本工作对K的估计与高频实验数据非常接近，除了可能在10GPa附近外，当(SiO5-SiO5)∞和(SiO5-SiO6)∞团簇出现时，我们的模拟结果最小。
图1.v-SiO2的局部结构和连通性二、送餐实逾渗转变。作者通过一种通用的、拍照快速的室温溶液反应方法来制备各种三维（3D）柱状层[Ni(Tdc)(Bpy)]nMOF材料（Tdc=噻吩-2,5二羧酸盐）。
（e）两个串联的M5//AC器件的比电容变化与电流密度的关系，看武汉两个串联的M5//AC器件的光学图像。其中，边边二维（2D）伪电容纳米材料被证明是SCs高能高功率应用的有效电极材料，因此2D伪电容纳米材料的制备和发展对SCs的未来发展至关重要。
送餐实使得MOF晶体沿1DNi-Bpy线性链或2DNi-Tdc网络方向生长。拍照作者相信该工作可以提供一种设计尺寸/形貌可控和功能可调的MOFs的通用方法。